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砷化镓GaAs

砷化镓（GaAs）砷化镓（GaAs）是一种重要的III-V族化合物半导体材料，因其优异的电子迁移率、直接带隙、高频及耐辐射等特性，被广泛应用于覆盖了从民用通信到国防航天的高科技领域。砷化镓...

钪酸镝GdScO3

钪酸镝GdScO3

钪酸镝GdScO3 钪酸钆GdScO3单晶材料，属于‌正交晶系钙钛矿结构‌氧化物，与钙钛矿结构的超导体及铁电薄膜有很好的晶格匹配，广泛用作‌铁电及超导薄膜的外延生长衬底，应用于‌微电子器件、传感器、非...

DyScO3 钪酸镝

DyScO3 钪酸镝

钪酸镝DyScO3 钪酸镝‌DyScO3 ‌（Dysprosium Scandate）单晶材料，属于‌正交晶系钙钛矿结构氧化物，与钙钛矿结构的超导体及铁电薄膜有很好的晶格匹配，广...

氧化锌ZnO

氧化锌ZnO氧化锌(ZnO)具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料，具有半导体、发光、压电、电光、闪烁等性能。独特的性质使其在光电子器件（如发光二极管、激光...

氮化镓GaN

氮化镓‌(GaN) GaN材料具有禁带宽度大、击穿电场高、电子迁移率高等特性，使得GaN功率器件具备高频、高效、低导通损耗、高功率密度等显著优势，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料...

碳化硅 SiC

碳化硅SiC碳化硅晶片是由碳和硅制备成的宽禁带半导体单晶薄片，主要作为衬底使用，其具有高禁带宽度、高击穿电场、高热导率等特性。根据电阻率不同，可分为导电型和半绝缘型。导电型碳化硅晶片主要用...

三氧化二铝Al2O3

三氧化二铝Al2O3

蓝宝石（Sapphire）蓝宝石（Sapphire,又称白宝石，分子式为Al2O3）单晶耐高温、导热好、硬度高、透红外，化学稳定性好，广泛应用在LED制造、LD激光器、激光窗口和红外光学元件、微电子集...

二氧化钛TiO2, 金红石

二氧化钛TiO2, 金红石

金红石（TiO2）单晶二氧化钛（金红石，TiO2）具有较大的双折射和折射率，是一种用于光谱棱镜和偏振器件（如光隔离器和分束器）的理想材料。金红石单晶具有‌高折射率‌、‌大双折射率‌和‌优异的近红外透过...

铜 Cu

金属Cu单晶单晶铜Cu金属单晶衬底因其‌无晶界、高表面平整度、优异的电学与催化性能‌，在多个前沿科技领域具有重要应用。主要用作于二维材料（石墨烯、六方氮化硼、）、特定合金磁性薄膜、高性能电子器件外延生...

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