分子式

SiC

生长方法

PVT（物理气相传输法）,籽晶升华法   ,

晶体结构

六方

6H-SiC

4H-SiC

晶格常数

a=3.076Å，c=10.053Å 

a=3.073 Å，c=15.117 Å 

排列次序

ABCACB

ABCBABCB

禁带宽度

3.03 eV

3.23 eV

导电类型

N型掺氮

SI型

电阻率

0.02~0.1   Ω·cm

>10⁵   Ω·cm（掺钒）；>10⁷ Ω·cm（非掺）；

热膨胀系数

4-5*10^-6   /K

4-5*10^-6   /K

折射率

n_o=2.6,n_e=2.65@750nm

n_o=2.61,n_e=2.66@750nm

密度

3.21g /cm³

硬度

9.2（mohs）

热导率@298K

4H-SiC，N型：a 轴 4.2   W/ cm.K，c轴 3.7 W/ cm.K

4H-SiC，SI型：a 轴 4.9   W/ cm.K，c轴 3.9 W/ cm.K

6H-SiC，SI型：a 轴 4.6   W/ cm.K，c轴 3.2 W/ cm.K

介电常数

9.66// C轴

击穿电场强度

2-5*10⁶ V/cm

尺寸

5x5，10x5，10x10，15x15，20x15，20x20，Ø50.8, Ø76.2,   Ø100mm

厚度

0.33mm，0.35mm，0.5mm

抛光

单面或双面

晶向

<0001>或偏<0001>4 º

晶面定向精度:

±0.5°

边缘定向精度:

2°（特殊要求可达1°以内）

Ra:

Si面 Ra≤5Å ，C Ra≤10Å（5µm×5µm）

包装

100级洁净袋，1000级超净室