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InAs单晶基片
砷化铟 (InAs) 是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，以其极高的电子迁移率和窄带隙特性，在红外光电子领域和高频器件应用中占据核心地位。以 InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/InAsPSb,InNAsSb等异质结材料,制作波长 2～14μm的量子级联激光器 (QCL)，用于高精度气体分析和低损耗光纤通信；用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 ,制作中红外量子级联激光器，器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域有良好的应用前景。此外, InAs 单晶具有很高的电子迁移率 ,是制造霍尔元件和磁阻传感器的理想材料，用于无接触电流检测和磁场测量。
主要性能参数 | ||||
晶体结构 | 立方晶系（闪锌矿结构） | |||
晶胞参数 | 6.058 Å | |||
熔点 | 936 – 942℃ | |||
生长方法 | 垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VB）/液封直拉技术（LEC） | |||
密度 | 5.67（g/cm3） | |||
莫式硬度 | 5 | |||
热膨胀系数 | 4.52 × 10⁻⁶ /K@298K；5 × 10⁻⁶ /K@1200K | |||
热导率 | 0.27W/(cm·K) | |||
比热容 | 0.32 J/g·K@298K | |||
禁带宽度 | 0.35 eV@300K | |||
折射率 | 3.51 (近红外波段) | |||
介电常数 | 15.15 | |||
光吸收边 | 约3.54 μm | |||
类 型 | SI | N | P | N |
掺杂物质 | 不掺杂 | 掺S或Sn | 掺Zn | 掺Sn |
电 阻 率Ω.cm | 5×10⁻³至1×10³ | 0.6-2.5*10-3 | 1-10*10-3 | 0.6-2.5*10-3 |
载流子浓度/cm3 | (2-5)×10¹⁶ | (1-20)×10¹⁷ | (1-10)×10¹⁷ | (5-20)×10¹⁷ |
迁移率cm2/(V.s) | 18,500 - 20,000 | > 2,000 | 100-300 | >2000 |
EPD | ≤50000∕cm2 | |||
尺寸 | 5x5mm、10×5mm、10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、 Dia76.2mm | |||
厚度 | 0.5mm | |||
尺寸公差 | <±0.2mm<> | |||
厚度公差 | <±0.025mm<> | |||
抛光 | 单面或双面 | |||
晶面定向精度 | ±0.5° | |||
边缘定向精度 | 2°（特殊要求可达到1°以内） | |||
取向 | <100> | |||
粗糙度 | Ra< 0.5nm | |||
包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | |||
