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GaSb单晶基片
GaSb（锑化镓）晶体是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料，具有窄禁带宽度、高电子迁移率以及与InAs、AlSb等材料良好的晶格匹配特性，使其在中红外光电子器件、高速电子器件和新能源技术中具有重要应用价值。
因其与其晶格常数与带系在 0.8~4.3um宽光谱范围内的铝锑化镓、铟砷锑等三元、四元合金材料晶格高度匹配，作为衬底，GaSb单晶片可外延生长InAs/GaSb超晶格、AlGaAsSb 等三元/四元合金薄膜，用于高性能红外焦平面阵列（FPA）和量子结构器件；GaSb基异质结（如GaInAsSb）可覆盖2–5 μm 波段，适用于低损耗光纤通信和激光测距系统；GaSb具有高空穴迁移率，可以用于开发超高频、低功耗的晶体管（如HEMT、HBT）和集成电路，适合制造p型高速场效应晶体管（FET），应用于在5G通信、卫星通讯等领域。
主要性能参数 | |||
晶体结构 | 立方晶系（闪锌矿结构） | ||
晶胞参数 | 6.096 Å | ||
熔点 | 710 – 712 °C | ||
生长方法 | 垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VB）/液封直拉技术（LEC） | ||
密度 | 5.61（g/cm3） | ||
莫式硬度 | 4.5 | ||
热膨胀系数 | 6.1 × 10⁻⁶ /K@298K | ||
热导率 | 0.27W/(cm·K) | ||
比热容 | 0.32 J/g·K@298K | ||
禁带宽度 | 0.725 eV@300K | ||
折射率 | 3.51 (近红外波段) | ||
介电常数 | 15.7 | ||
光吸收边 | 1.7 – 1.8 µm | ||
类 型 | P | N | P |
掺杂物质 | 不掺杂 | 掺Te | 掺Zn |
电 阻 率Ω.cm | 0.1-0.2 | 0.05–0.085 | 0.004-0.01 |
载流子浓度/cm3 | (1-2)´1017 | (2-6)´1017 | (5-100) ×10¹⁷ |
迁移率cm2/(V.s) | 600-700 | 2000-3500 | 200-500 |
EPD | ≤10000∕cm2 | ||
尺寸 | 5x5mm、10×5mm、10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、 Dia76.2mm | ||
厚度 | 0.5mm | ||
尺寸公差 | <±0.2mm<> | ||
厚度公差 | <±0.025mm<> | ||
抛光 | 单面或双面 | ||
晶面定向精度 | ±0.5° | ||
边缘定向精度 | 2°（特殊要求可达到1°以内） | ||
取向 | <100> | ||
粗糙度 | Ra< 0.5nm | ||
包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | ||
