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硅Si
硅(Si) 通过直拉法或区熔法等工艺制成单晶硅棒，再经切片、研磨、抛光等工序加工而成，是半导体产业链的核心基础材料，通常由高纯度单晶硅制成。根据加工深度和结构，硅片主要可分为抛光片、外延片、退火片和SOI硅片，此外，根据掺杂浓度的高低，半导体硅片还可划分为轻掺硅片和重掺硅片。广泛应用于半导体材料，大功率晶体管，整流器，太阳能电池等，是制造集成电路芯片的核心基底材料，其产品可应用于OLED显示面板、AI手机、AI电脑、智能汽车及人工智能等领域。
主要性能参数 | |||
晶体结构 | 面心立方 | ||
熔点（℃） | 1420 | ||
密度 | 2.4（g/cm3） | ||
莫式硬度 | 6.5-7 | ||
掺杂物质 | 不掺杂 | 掺B | 掺P |
类 型 | SI | P | N |
电 阻 率 | ≥1000Ωcm | 10-3~40Ωcm | 10-3~40Ωcm |
E P D | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 |
氧含量（∕cm3） | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 |
碳含量（∕cm3） | ≤5×1016 | ≤5×1016 | ≤5×1016 |
尺寸 | 5x5mm、10×5mm、10×10mm、15×15mm, Dia50.8mm, Dia76.2mm, Dia100mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的基片 | ||
厚度 | 0.4mm、0.5mm、0.625mm、1.0mm | ||
尺寸公差 | <±0.2mm<> | ||
厚度公差 | <±0.05mm<> | ||
抛光 | 单面或双面 | ||
晶面定向精度 | ±0.5° | ||
边缘定向精度 | 2°（特殊要求可达到1°以内） | ||
取向 | <100>、<110>、<111>等 | ||
包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | ||
