微纳光电子功能材料实验室
光电材料事业部
氮化硅陶瓷是一种烧结时不收缩的无机材料。它是用硅粉作原料，先用通常成型的方法做成所需的形状，在氮气中及１２００℃的高温下进行初步氮化，使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅，然后在１３５０℃～１４５０℃的高温炉中进行第二次氮化，反应成氮化硅。用热压烧结法可制得达到理论密度９９％的氮化硅。 在室温下Si3N4陶瓷的导热率范围在10到16 W.m -1.K -1之间。
| 分子式 | Si3N4 |
| 相对分子质量 | 140.28 |
| 颜色 | 灰色、灰黑色 |
| 晶系 | 六方晶系。晶体呈六面体 |
| 陶瓷片制备方法 | 热压法 |
| 相对密度 | 99.5% |
| 密度 | 3.2+/-0.02 g/cm3 |
| 莫氏硬度 | 9~9.5 |
| 熔点 | 1900℃（加压下）。通常在常压下1900℃分解 |
| 热膨胀系数 | 2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃) |
| 比热容 | 0.71J/(g·K) |
| 热导率 | 15~ 20W/(m·K) |
| 弹性模量 | 300~320 GPa |
| 断裂韧性 | 6.0~7.0 MPa.m |
| 抗弯强度 | 650~750 Mpa |
| 韦泊模数 | 10~12 |
| 溶解度 | 不溶于水。溶于氢氟酸。 |
| 氧化温度 | 在空气中开始氧化的温度1300~1400℃ |
