微纳光电子功能材料实验室
光电材料事业部

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碳化硅(SiC)

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技术参数

    主要应用领域
1.高频大功率电力电子器件 Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN    diodes 、IGBT
2.光电子器件:主要应用于GaN/SiC 蓝光LED的衬底材料(GaN/SiC)LED

主要性能参数
生长方法 MOCVD
晶体结构 六方
晶格常数 a=3.07 Å c=15.117 Å 
方向 <0001>或<0001>4 º
带隙 3.02 eV (间接)
硬度 9.2(mohs)
密度 3.21g/cm3
折射率 no=2.55  ne=2.59
热传导@300K 3 - 5 x 10E6W/ m
介电常数 e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸 10x10mm,15x15mm, 20x20mm,Dia50.8mm,Dia100mm
厚度 厚度:0.33/0.35mm
抛光 单面或双面
晶向 <0001>±0.5º
晶面定向精度: ±0.5°
边缘定向精度: 2°(特殊要求可达1°以内)
斜切晶片 可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
Ra: ≤5Å(5µm×5µm)
包装 100级洁净袋,1000级超净室
 

配件详情: