微纳光电子功能材料实验室
光电材料事业部

镓酸钕(NdGaO3)晶体

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技术参数

  镓酸钕(NdGaO3)

  NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片,主要用作高温超导体(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小(~0.27%),且无结构相变,在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。

主要性能参数

晶体结构

正交

晶胞参数Å

a=5.43、b=5.50、c=7.71

熔点

1600 ℃

密度

7.57g/cm3

介电常数

25

生长方法

提拉法

尺寸

10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,

厚度

0.5mm,1.0mm

抛光

单面或双面

晶向

<100>  <110>  <001>

晶面定向精度:

±0.5°

边缘定向精度:

2°(特殊要求可达1°以内)

斜切晶片

可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片

Ra:

≤5Å(5µm×5µm)

   

包装

100级洁净袋,1000级超净室

 

配件详情: