微纳光电子功能材料实验室
光电材料事业部
铝酸镁（MgAl2O4）可以III-V族氮化物器件薄膜的衬底基片，同时广泛应用于声波和微波器件及快速 IC 外延基片，另外与外延硅薄层晶格匹配良好,衬底中铝原子向外延硅薄层内的自掺杂小,热稳定性好,与硅的膨胀系数较为接近,硬度较小,加工性能较好等，因此可以作为超高速大规模集成电路的优质绝缘衬底材料之一。目前我们可以提供最大直径2英寸的无孪晶、无晶畴、超光滑的高质量衬底基片（FWHM<50 arcsec,粗糙度Ra<0.5 nm）。
| 主要性能参数 | |
| 生长方法 | 提拉法 |
| 晶体结构 | 立方 |
| 晶格常数 | a=8.085Å |
| 熔点（℃） | 2130℃ |
| 密度 | 3.64g/cm3 |
| 莫氏硬度 | 8 |
| 颜色 | 白色透明 |
| 热膨胀系数 | 7.45×10-6 /℃ |
| 晶向 | <100>, |
| 尺寸 | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
| Ф1″，Ф2″, | |
| 厚度 | 0.5mm，1.0mm |
| 抛光 | 单面或双面 |
| 晶向 | <100>、<110>、<111>±0.5º |
| 晶面定向精度: | ±0.5° |
| 边缘定向精度: | 2°（特殊要求可达1°以内） |
| 斜切晶片 | 可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 |
| Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） |
| 包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 |