上海中科神光光电产业有限公司
光电材料事业部
TGG单晶具有大的磁光常数、低的光损失、高热导性和高激光损伤阈值， 广泛应用于YAG、掺Ti蓝宝石等多级放大、环型、种子注入激光器中。
| 主要性能参数 | ||
| 分子式 | Tb3Ga5O12 | |
| 晶格常数 | a=12.355 Å | |
| 生长方法 | 提拉法 | |
| 熔点（℃） | 1725 | |
| 密度（g/cm3） | 7.13 | |
| 硬度 | 8（mohs） | |
| 折射率 | 1.954 at1064nm | |
| 维尔德常数 | 0.12min/Oe.cm at1064nm | |
| TGG晶体元件标准规格尺寸 | ||
| 晶体取向 | <111> within 5 degrees | |
| 波前畸变 | <1/8 wave total （与633nm测量） | |
| 消光比 | >30dB | |
| 尺寸公差 | 直径 | +0.00mm/-0.05mm |
| 长度 | ±0.2mm | |
| 倒角 | 0.13mm（+0.00mm，-0.08mm） at45°±5° | |
| 晶棒加工指标 | ||
| 平面度 | <1/10 wave at 633nm | |
| 平行度 | <1 minutes of arc | |
| 垂直度 | <1 degree | |
| 表面光学质量 | 10-5per MIL-0.13830A | |
| 包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | |
