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铝酸镁（MgAl2O4）
铝酸镁（MgAl2O4）可以III-V族氮化物器件薄膜的衬底基片，同时广泛应用于声波和微波器件及快速 IC 外延基片，另外与外延硅薄层晶格匹配良好,衬底中铝原子向外延硅薄层内的自掺杂小,热稳定性好,与硅的膨胀系数较为接近,硬度较小,加工性能较好等，因此可以作为超高速大规模集成电路的优质绝缘衬底材料之一。目前我们可以提供最大直径2英寸的无孪晶、无晶畴、超光滑的高质量衬底基片（FWHM<50 arcsec="">粗糙度Ra<0.5 nm="">）。
主要性能参数 | |
生长方法 | 提拉法 |
晶体结构 | 立方， Fd3m |
晶格常数 | a=8.08Å |
熔点（℃） | 2130℃ |
密度 | 3.64g/cm3 |
莫氏硬度 | 8 |
颜色 | 白色透明 |
热膨胀系数 | 7.45×10-6 /℃ |
折射率 | 1.7137@633nm |
晶向 | <100>, |
尺寸 | 5x5，10x5，10x10，15x15，20x20，Ø1″，Ø2″, |
厚度 | 0.5mm，1.0mm |
抛光 | 单面或双面 |
晶向 | <100>、<110>、<111> |
晶面定向精度: | ±0.5°或者+/-0.3° |
边缘定向精度: | 2°（特殊要求可达1°以内） |
Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） |
包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 |
