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薄膜衬底 >> 半导体薄膜基片 >> InAs单晶基片
InAs单晶基片
 

 
简要介绍
 InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In-AsPSb,InNAsSb等异质结材料,制作波长 2~14μm的红外发光器件,用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 ,制作中红外量子级联激光器。
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详细参数

 

InAs单晶基片

InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/InAsPSb,InNAsSb等异质结材料,制作波长 214μm的红外发光器件,用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 ,制作中红外量子级联激光器。.这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域有良好的应用前景.此外, InAs 单晶具有很高的电子迁移率 ,是一种制作 Hall 器件的理想材料。作为单晶衬底 , InAs 材料需要具备低的位错密度、 良好的晶格完整性、 合适的电学参数和较高的均匀性. InP单晶材料的主要生长方法是传统液封直拉技术(LEC)。

晶体
结构
晶向
熔点
oC
密度
g/cm3
禁带宽度
InAs
立方,
a=6.058 A
<100>
942
5.66
0.45

 

 

 

 

 

主要性能参数
单晶
掺杂
导电类型
载流子浓度
cm-3
迁移率(cm2/V.s)
位错密度(cm-2)
标准基片
InAs
本征
N     
     5*1016
2*104
<5*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
InAs
Sn
N
(5-20)*1017
>2000
<5*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
InAs
Zn
P
(1-20) *1017
100-300
<5*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
InAs
S
N
(1-10)*1017
>2000
<5*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
尺寸(mm)
Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告
抛光
单面或双面
包装
100级洁净袋,1000级超净室

 
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