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联系人: 陈光珠
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邮  箱: gzhchen@siom.ac.cn;
sales@sgcrystal.com
 
外延薄膜 >> SiO2/Si >> SiO2/Si
SiO2/Si
 

01
 
简要介绍
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详细参数

主要性能参数
晶体结构
面心立方
熔点(℃)
1420
密度
2.4(g/cm3
类 型
N或P
N
P
掺杂
/
P(磷)
B(硼)
膜厚
300~ 500nm
电 阻 率
>1000Ωcm
10-3~104Ωcm
10-3~104Ωcm
E P D
≤100∕cm2
≤100∕cm2
≤100∕cm2
氧含量(∕cm3)
≤1~1.8×1018
≤1~1.8×1018
≤1~1.8×1018
碳含量(∕cm3)
≤5×1016
≤5×1016
≤5×1016
尺寸
10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、Dia76.2mm、Dia100mm
可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的基片
厚度
0.3-0.5mm、1.0mm
尺寸公差
<±0.1mm
厚度公差
<±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm)
抛光
单面或双面
晶面定向精度
±0.5°
边缘定向精度
2°(特殊要求可达到1°以内)
取向
<100>、<110>、<111>等
包装
100级洁净袋,1000级超净室

 
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