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薄膜衬底 >> GaN 薄膜基片 >> 氮化镓(GaN)
氮化镓(GaN)
 

06
 
简要介绍
GaN具有宽的直接带隙,强的原子键,高的热导率等性质和强的抗辐照能力,不仅是短波长光电子材料,也是高温半导体器件的换代材料,GaN体系可以用来制备蓝、绿光LED,蓝紫、紫外光LD、紫外探测器以及高频大功率电子器件。
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详细参数

产品型号Item
GaN-FS-10
GaN-FS-15
尺寸Dimensions
10.0mm×10.5mm
14.0mm×15.0mm
孔洞密度Marco Defect Density
A Level
0 cm-2
B Level
≤ 2 cm-2
厚度Thickness
Rank 300
300 ± 25 µm
Rank 350
350 ± 25 µm
Rank 400
400 ± 25 µm
晶体取向Orientation
C-axis(0001) ± 0.5°
TTV(Total Thickness Variation)
≤15 µm
弯曲度BOW
≤20 µm
导电类型Conduction Type
N-type
Semi-Insulating
电阻率Resistivity(300K)
< 0.5 Ω·cm
>106 Ω·cm
位错密度Dislocation Density
Less than 5x106 cm-2
有效面积Useable Surface Area
> 90%
抛光Polishing
Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished
Back Surface: Fine ground
包装Package
Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

 
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