首 页
关于我们
产品中心
新闻动态
技术服务
合作伙伴
人才招聘
联系我们
点击这里给我发消息

联系人: 陈光珠
电  话: 021-69918486,69918652
手  机: 13788950882
传  真: 021-69918550
邮  箱: gzhchen@siom.ac.cn;
sales@sgcrystal.com
 
晶体材料 >> 半导体晶体 >> 砷化镓(GaAs)
砷化镓(GaAs)
 

06
 
简要介绍
资料下载 点击下载
详细参数

主要性能参数

单晶

掺杂

导电类型

载流子浓度cm-3

位错密度cm-2

生长方法

标准基片(mm

GaAs

Si

N

>5×1017

<5×105

VGF(垂直梯度凝固法)

HB(垂直布里奇曼法)

Dia2″×0.35

Dia100×0.35

晶向

(100) 0°±0.5°

(100) 2°±0.5°off toward <111>A

(100)15°±0.5°off toward <111>A

尺寸(mm)

25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm

可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底

表面粗糙度

Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告

抛光

单面或双面

包装

100级洁净袋,1000级超净室

 
版权所有 上海大恒光学精密机械有限公司
您是第 位访问者
ICP备案/许可证编号为:沪ICP备11030575号-4
地址: 上海市嘉定区清河路390号    邮编:201800    技术支持:爱建网
电话:021-69918486,69918652    传真:021-69918550 E-mail:gzhchen@siom.ac.cn;
sales@sgcrystal.com