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晶体材料 >> 半导体晶体 >> 碳化硅(SiC)
碳化硅(SiC)
 

04
 
简要介绍
主要应用领域
1.高频大功率电力电子器件 Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN    diodes 、IGBT
2.光电子器件:主要应用于GaN/SiC 蓝光LED的衬底材料(GaN/SiC)LED
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详细参数

主要性能参数
生长方法
MOCVD
晶体结构
六方
晶格常数
a=3.07 Å     c=15.117 Å 
排列次序
ABCACB
方向
生长轴或 偏<0001> 3.5 º
带隙
3.02 eV (间接)
硬度
9.2(mohs)
密度
3.21g/cm3
折射率
no=2.55   ne=2.59
热传导@300K
3 - 5 x 106W/ m
介电常数
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸
10x10mm,15x15mm, 20x20mm,Dia50.8mm,Dia76.2mm,Dia102.4mm
厚度
厚度:0.35mm
抛光
单面或双面
晶向
<001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°(特殊要求可达1°以内)
斜切晶片
可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包装
100级洁净袋,1000级超净室

 
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