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联系人: 陈光珠
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手  机: 13788950882
传  真: 021-69918550
邮  箱: gzhchen@siom.ac.cn;
sales@sgcrystal.com
 
晶体材料 >> 半导体晶体 >> 锗(Ge)
锗(Ge)
 

03
 
简要介绍
用途:制作半导体器件,红外光学器件,及太阳能电池沉底等材料。 
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详细参数

主要性能参数
生长方法
提拉法
晶体结构
立方
晶格常数
a=5.65754 Å       
密 度
5.323g/cm3
熔点
937.4℃
掺杂物质
不掺杂
掺Sb
掺Ga
类型
/
N
P
电阻率
>35Ωcm
0.01~10Ωcm
0.01~10Ωcm
EPD
<4×103∕cm2
<4×103∕cm2
<4×103∕cm2
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客户要求划片
厚度
0.5mm,1.0mm
抛光
单面或双面
晶向
<100>、<110>、<111>、±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°(特殊要求可达1°以内)
斜切晶片
可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包装
100级洁净袋,1000级超净室
 
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