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晶体材料 >> 光电晶体 >> 二氧化硅(SiO2)
二氧化硅(SiO2)
 

02
 
简要介绍
SiO2单晶水晶片是一种极好的基片,用于无线通讯工业的微波滤波器。
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详细参数

主要性能参数
生长方法
水热法
晶体结构
六方
晶格常数
a=4.914Å    c=5.405 Å
熔点(℃)
1610℃(相转变点:573.1℃)
密度
2.684g/cm3
硬度
7(mohs)
热熔
0.18cal/gm
热导率
0.0033cal/cm℃
热电常数
1200uv/℃(300℃)
折射率
1.544
热膨胀系数
α11:13.71×106/ ℃ α33:7.48×106 /℃
Q值
1.8×106 min
声速、声表级
3160(m/sec)
频率常数
1661(kHz/mm)
压电偶合
K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14
晶向
Y、X或Z切,在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值
主定位边:根据客户要求定方向±30分
次定位边:根据客户要求定方向
籽 晶:位于中心,宽度<5mm,高度>66mm
抛光面
外延抛光:单抛或双抛Ra<10Å
工作区域:基片直径-3mm
弯 曲 度:Φ3″<20um,Φ4″<30um
工作区域无崩边,在边缘,崩边宽度<0.5mm
坑和划痕:每片<3,每100片<20
标准厚度
0.5mm±0.05mm TTV<5um
标准直径
Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm
主定位边:22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″)
次定位边:10mm±1.5mm

 
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