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传  真: 021-69918550
邮  箱: gzhchen@siom.ac.cn;
sales@sgcrystal.com
 
薄膜衬底 >> 半导体薄膜基片 >> 硅(Si)
硅(Si)
 

02
 
简要介绍
Si 用途:用作半导体材料,大功率晶体管,整流器,太阳能电池等。 
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详细参数

主要性能参数

晶体结构

面心立方

熔点(℃)

1420

密度

2.4(g/cm3

掺杂物质

不参杂

B

P

类 型

 NP

P

N

电 阻 率

>1000Ωcm

10-3~40Ωcm

102~104Ωcm

E P D

≤100∕cm2

≤100∕cm2

≤100∕cm2

氧含量(∕cm3

≤1~1.8×1018

≤1~1.8×1018

≤1~1.8×1018

碳含量(∕cm3

≤5×1016

≤5×1016

≤5×1016

尺寸

10×10mm、15×15mm、Dia50.8mmDia76.2mmDia100mm

可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的基片

厚度

0.3-0.5mm、1.0mm

尺寸公差

<±0.1mm

厚度公差

<±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm)

抛光

单面或双面

晶面定向精度

±0.5°

边缘定向精度

2°(特殊要求可达到1°以内)

取向

<100>、<110>、<111>等

包装

100级洁净袋,1000级超净室

 
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