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薄膜衬底 >> GaN 薄膜基片 >> SiC单晶 (6H-SiC,4H-SiC )
SiC单晶 (6H-SiC,4H-SiC )
 

02
 
简要介绍
   SiC单晶具有许多优良的性质,热导率高、饱和电子迁移率高、抗电压击穿能力强等,适合于制备高频率、高功率、耐高温以及耐辐照的电子器件。
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详细参数

主要性能参数
生长方法
籽晶升华法 ,PVT(物理气相传输)
晶体结构
六方
晶格常数
a=3.08 Å     c=15.08 Å 
密度
3.21 g/cm3
方向
生长轴或 偏<0001> 3.5 º
带隙
3.26 eV (间接)
硬度
9.2(mohs)
热传导@300K
5 W/ cm.k
介电常数
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
Dia2",Di3",Dia4"
厚度
0.35mm,
抛光
单面或双面
晶向
<0001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°(特殊要求可达1°以内)
斜切晶片
可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包装
100级洁净袋,1000级超净室

 
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