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薄膜衬底 >> 高温超导薄膜基片 >> 镓酸钕(NdGaO3)晶体
镓酸钕(NdGaO3)晶体
 

04
 
简要介绍
NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片,主要用作高温超导体(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小(~0.27%),且无结构相变,在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。
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详细参数

主要性能参数
晶体结构
正交
晶胞参数Å
a=5.43、b=5.50、c=7.71
熔点
1600℃
密度
7.57g/cm3
介电常数
25
生长方法
提拉法
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
Ф15,Ф20,Ф1″,Ф2″,Ф2.6″
厚度
0.5mm,1.0mm
抛光
单面或双面
晶向
<100>  <110>  <111>
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°(特殊要求可达1°以内)
斜切晶片
可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包装
100级洁净袋,1000级超净室

 
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